AM010WH2-BI-R是砷化鎵高場反應晶狀體管BI型號的大部分。HiFET有的是種組成區域連接的專業產品搭配,廣泛用于壓力、大瓦數和寬帶網絡APP。這一組成區域的總元器內圍為2公分(二個1毫米(mm)的FET并聯電阻計算)。AM010WH2-BI-R專為中最大功率紅外光用而來設計,工做工作頻率會達12GHz。它也是不大電率機的夢想驅動下載程序流程圖。BI系列作品用于特殊化設計的的陶瓷廠家芯片封裝,用于放入式安轉模式,有變形(BI-G)或直(BI)保護跨接線。二極管封裝底的法蘭部與此同時作為交流電保護跨接、rf射頻保護跨接和熱渠道。此部門合乎RoHS。
表現形式
達(da)到了12GHz的低頻操作使(shi)用
高(gao)增益控(kong)制(zhi)和(he)高(gao)馬力,P1dB=30dbm@3.5GHz
界面(mian)貼裝(zhuang)
效果水冷的下層(ceng)
選用(yong)
無線數字本市(shi)環公路網(wang)絡
蜂窩遠程(cheng)電(dian)通訊技術
WLAN、中繼器和超(chao)局域網共享
C光波VSAT
雷達探測
英文版
微波加熱元電子元件