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微波加熱元電子部件
AM032MH4-BI-R是GaAs HIFET的BI系列的的三那部分。HiFET是一個種部份適配的著作權設施硬件配置，適用高壓電、大公率和寬帶網應用軟件。該零配件的總設施內圍為12.8豪米。AM032MH4-BI-R專為高工作任務效率微波射頻用途而設計的概念，工作任務聲音頻率超過6GHz。BI款型用于非常規設計方案的瓷質二極管封裝，內彎或直直的的引線和卡箍片用于添加圖片式裝配方式英文。包裝箱底層的卡箍片另外用作直流變壓器的的接地、微波射頻的的接地和熱節點。這般HiFET符合要求RoHS基準。
特(te)點(dian)
28伏漏極偏(pian)壓
帶寬個部分相匹(pi)配(pei)：DC–2.4GHz
高達獨角獸6GHz的中頻操作(zuo)方法(fa)
高增加收益：G=19dB@2GHz
高最大功(gong)率：P1dB=35dBm@2.0GHz
高線型：IP3=50dBm@2.0GHz
可行散熱管的(de)陶瓷制品設計
應運
網(wang)絡帶寬應用
髙壓20至28V
遠程本土環公路網絡
PC移動通(tong)信基站
WLAN、中繼器和超(chao)無(wu)線局域網
Ck線(xian)VSAT
中國(guo)航空智能(neng)數據通信(xin)