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徽波元電子原件封裝
AM005WH2-BI-R是砷化鎵HIFET的BI產品的一款分。HiFET是使用高壓電、大工率和移動寬帶應運的地方輸入電子配件選配。該地方的總電子配件外層為1分米（三個0.5豪米串連場相應晶狀體管）。AM005WH2-BI-R專為高電功率徽波APP而的設計，操作率達到12GHz。它也是更廣公率產品的比較好能夠方式。BI系例用于特殊的設計的概念的陶瓷廠家封裝類型，用于融入式的安裝方案，擁有耐折（BI-G）或直（BI）電線。二極管封裝下端的活套法蘭一并當做電流接地裝置裝置、微波射頻接地裝置裝置和熱渠道。此一些合適RoHS。
功(gong)能
到(dao)達12GHz的低(di)頻工作
高(gao)增益值和高(gao)工作效率，P1dB=26 dBm@3.5 GHz
的表面貼裝
能夠(gou)cpu散熱的低層(ceng)
選用
wifi手機地方環鐵路網絡
蜂窩遠程電(dian)溝通
WLAN、中繼器和(he)超局(ju)域網共(gong)享(xiang)
Ck線VSAT
預警雷達