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AM020WH2-BI-R是砷化鎵HIFET的BI系統的幾一些。HiFET也是種局部相匹配的著作權裝置設施設備，使用于油田、大最功率大的和光纖寬帶APP。該局部的總裝置周圍為4直徑（這兩個2mm毫米FET并聯電阻計算）。AM020WH2-BI-R專為高額定功率紅外光應用而設計的概念，工作任務頻段能夠達到12GHz。它也是更好熱效率機械設備的期望能夠源程序。BI類別選擇唯一性的設計的陶瓷圖片封裝，選擇放到式安裝的方法，有點打彎（BI-G）或直（BI）電纜線。封裝類型底下的法蘭部此外用來作為直流電源一定跨接、rf射頻一定跨接和熱通路。此大部分符合國家RoHS。

特點

高(gao)(gao)達mg12GHz的(de)高(gao)(gao)頻率操作使用

高(gao)增益控制(zhi)和高(gao)輸出，P1dB=33 dBm@4 GHz

單單從表面貼裝

很好散熱器的最底層

技(ji)術(shu)應用

移動本地化環交通網絡

蜂(feng)窩移動(dong)電通迅

WLAN、中繼器和超網段

C中波段VSAT

預(yu)警雷(lei)達