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MA4M3100 MNS微波芯片電容器
MA4M3100  MNS微波芯片電容器
必要主要參數

MA4M3100  MNS微(wei)波(bo)加熱集成電(dian)路芯片電(dian)收(shou)納空間器電(dian)容器(PF):100防曬隔(ge)離霜的電(dian)壓(V):50處(chu)理芯片材質:358

品牌:MACOM

設備商品詳情頁解釋

M/A-COM的MA4M款型MNS(廢金屬氮化物硅)硅片電解電干凈的器皿專為微波射頻電路設計方案應用軟件中的高準確性和可反復功能而設計方案。一些電解電干凈的器皿是用舒張壓耐腐蝕液相堆積(LPCVD)創造的,此類沉積狀應該形成了非均質、更加均勻的氮化物層。他們電解電儲罐比差不多的MOS、MIS和陶瓷廠家電袋子器的表現出更高些的組織占地面電袋子(會導致處理存儲芯片規格尺寸更小)。化掉金接觸點中用在電袋子器處理存儲芯片上供給更易粘膠的塑料墊。M/A-COM MNS電容(電感器等)器在150℃的載荷系數直流電壓下沒了體現 出可在線測量的電阻發生改變。

MA4M系列表片式電(dian)阻器有的(de)是個特好的(de)會選擇,用作Kuk線不低(di)于的(de)融合(he)徽波三極(ji)管中,低(di)材料耗費、高能(neng)信性、小(xiao)尺寸大小(xiao)和溫度(du)緣(yuan)由平(ping)衡(heng)性是基本滿足緣(yuan)由。

此類(lei)片(pian)式電(dian)感(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)選采用是需要直流電(dian)源方案(an)、交叉耦合電(dian)感(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)、旁路電(dian)感(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)、電(dian)感(gan)(gan)(gan)負荷和(he)自激振(zhen)蕩(dang)器(qi)(qi)、乘法(fa)器(qi)(qi)和(he)濾(lv)波器(qi)(qi)中的(de)調諧器(qi)(qi)件的(de)用。

 MA4M3100優點

?不(bu)錯的再(zai)次性(晶圓(yuan)對(dui)晶圓(yuan)和(he)生產批(pi)(pi)號對(dui)生產批(pi)(pi)號)

?小外形尺寸

?低損耗,高Q值

?帶(dai)來(lai)了扇形或方型焊盤