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M/A-COM的MA4M系例MNS（廢金屬氮化物硅）硅片電解高壓電阻等專為紅外光電路板應用領域中的高穩定性性和可相似安全性能而設計制作。這部分電解高壓電阻等是用低壓證書化學上的色譜沉淀（LPCVD）制做的，此種基性巖能夠成型非均質、均衡的氮化物層。他們電容（電玻璃容器）器比類似于的MOS、MIS和陶瓷圖片濾波電罐體展示出極高的方平數濾波電解電容（電儲罐）（會導致單片機處理器寬度更小）。蒸發掉金觸點開關代替在濾波電罐體單片機處理器上具備非常容易粘接的金屬墊。M/A-COM MNS電感器在150℃的電機額定功率直流電壓下不會有界面顯示出可量測的電解電容發生變化。

MA4M系列表片式電解高壓電容類(lei)是(shi)個(ge)良好 的考慮，用到Ku波(bo)長以上的的混合法微波(bo)加(jia)熱電路原(yuan)理(li)中，低耗損率、高安全可信度、小厚度和溫比較(jiao)穩定可靠性處(chu)理(li)是(shi)最主要遵(zun)循情況。

以(yi)上片(pian)式電(dian)解(jie)(jie)電(dian)玻(bo)璃罐體常(chang)在(zai)所需直流電(dian)源輸(shu)出模(mo)塊(kuai)、解(jie)(jie)耦(ou)電(dian)解(jie)(jie)電(dian)玻(bo)璃罐體、旁路電(dian)解(jie)(jie)電(dian)玻(bo)璃罐體、電(dian)解(jie)(jie)電(dian)阻根(gen)據和(he)自由振蕩器、乘法器和(he)濾波器中的調諧零件的應運(yun)。

?較(jiao)好的(de)相(xiang)似性（晶(jing)圓對(dui)晶(jing)圓和院(yuan)校代(dai)號線對(dui)院(yuan)校代(dai)號線）

?小長度

?低損耗，高Q值

?帶來了橢(tuo)圓形或橢(tuo)圓形焊盤(pan)