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所述CHA5266-FAB是在無(wu)引線面上的三類單支砷化(hua)鎵中(zhong)工(gong)作效率(lv)圖(tu)像(xiang)放大電路按(an)照封(feng)好(hao)金屬(shu)制(zhi)工(gong)業(ye)陶(tao)瓷6x6mm2包。

它設計迅(xun)猛發展(zhan)在(zai)從(cong)軍事到商業樓通信網(wang)設備的諸(zhu)多迅(xun)猛發展(zhan)。

該(gai)線(xian)路使(shi)用pHEMT工藝設計營造，柵(zha)極時(shi)長為0.25μm，按(an)照基鋼板的通孔，空(kong)氣質(zhi)量橋和(he)電子元器件束柵(zha)神行者(zhe)刻技能(neng)營造。

它(ta)以具備RoHS的(de)SMD封裝形式出示。