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CHK8101a99F是20W氮化鎵高電子遷移率晶體管。

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它(ta)是(shi)基本概念SiC襯底上(shang)的0.5μm柵長GaN HEMT工藝(yi)研發的，因此相當達到RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006指命的的規(gui)定。

它以(yi)裸存儲芯片形態提(ti)供(gong)，但是還要冗(rong)余一(yi)致(zhi)控制電路。