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CHK9013-99F 氮化鎵功率晶體管
CHK9013-99F  氮化鎵功率晶體管
必要數據

CHK9013-99F  氮化鎵功率晶體(ti)管

Glin(dB)@聲音頻率(GHz): 18 @ 6崗位頻率(GHz): 最長5個供大于求電功率(W):  88PAE(%)@幾率(GHz):  65 @ 6訂購貨期:3-4周

品牌:UMS微波

物品商品詳情頁講解

CHK9013-99F是85W氮化鎵高電子遷移率晶體管。

該廠品為汽車(che)雷達和5G等幾(ji)種(zhong)RF電運(yun)用展示 統一和移動(dong)寬帶避免規劃。

該電路系統是在SiC襯底上主要采用(yong)0.25μm柵(zha)長的(de)GaN HEMT枝術研發的(de)。

它以(yi)裸存(cun)儲芯片(pian)內(nei)容強調,還(huan)有都要異常匹配好電路板(ban)。