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CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

至關重要因素

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微波射頻服務器帶寬（GHz）： 1.2-1.4小移動信號增加收益（dB）：20熱效率（W）：200關于增加收益（dB）： > 14P-1dB輸送（dBm）：-PAE（％）： 52定購交貨期：3-4周

護膚品具體詳情講述

CHZ180AaSEB是輸入匹配和輸出預匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。它為L波段的各種RF功率應用提供了寬帶解決方案。

無比最(zui)適合電磁雷達天線用途(tu)。

CHZ180AaSEB是在0.5μm柵長的GaN HEMT流程上系統闡述的。它(ta)系統設計準MMIC高技術。

它用到密閉法蘭(lan)片陶(tao)瓷廠家廢(fei)金屬電壓封口，可(ke)供應低生存和低熱擴散(san)系數。