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EC2612-99F基于0.15μm柵極偽晶型高電子遷移率晶體管（0.15μm pHEMT）技術。

澆口總(zong)寬為120μm，0.15納米。T形鋁平板閘(zha)門極具低(di)功率電阻和(he)表現出色的靠(kao)譜性(xing)。

該(gai)元器件現示(shi)出異(yi)常的高(gao)的跨導(dao)，才能(neng)影(ying)響(xiang)異(yi)常的高(gao)的頻段和低噪音能(neng)力。

它以集成塊的方式(shi)提(ti)高，擁有能夠孔拼(pin)接的源極，僅(jin)需受(shou)到限制柵線(xian)和漏極線(xian)。