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AMCOM的(de)AM153040WM-QN6-R是(shi)砷(shen)化鎵HiFET MMIC功率(lv)放(fang)大(da)器系列的(de)一部分。它(ta)是(shi)一個2級(ji)GaAs-HIFET-PHEMT-MMIC功率(lv)放(fang)大(da)器。它(ta)完(wan)全匹配50歐姆的(de)輸(shu)入(ru)和(he)輸(shu)出(chu)，涵蓋(gai)1.25至(zhi)3.5GHz。該單片(pian)集成(cheng)電路(lu)在(zai)10V時(shi)增(zeng)益19dB，輸(shu)出(chu)功率(lv)37dBm。該單片(pian)集成(cheng)電路(lu)采用6x6mm QFN封裝(zhuang)(zhuang)，射頻(pin)(pin)引線、直流引線和(he)射頻(pin)(pin)接(jie)(jie)地位于封裝(zhuang)(zhuang)的(de)較(jiao)低(di)層(ceng)，便于將低(di)成(cheng)本的(de)SMT組裝(zhuang)(zhuang)到(dao)PC板上。當直接(jie)(jie)安裝(zhuang)(zhuang)到(dao)PCB上時(shi)，請參(can)閱(yue)應用說明AN700了(le)解(jie)說明。為了(le)確保良好的(de)射頻(pin)(pin)接(jie)(jie)地和(he)適(shi)當的(de)散熱，這些(xie)設備必須直接(jie)(jie)放(fang)置(zhi)在(zai)PCB過孔上。此MMIC符合RoHS標準。