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CGHV40180F大功率氮化鎵功放200W

主要技術參數

功(gong)率：180-250W峰(feng)值

概率位置：DC-2.0GHz增加收益： 24dB運行電流值： 50V裝封：Pill丸式、蝶閥法蘭

搞特價訂貨周期：2-3周

新產品具體詳情簡介

可選擇封(feng)裝行駛(shi) ：CGHV40180P CGHV40180F

Product SKU	Recommended For New Design?	Technology	Frequency Min	Frequency Max	Peak Output Power	Gain	Efficiency	Operating Voltage	Form	Package Type
CGHV40180P	Yes	GaN on SiC	DC	2 GHz	200 W	24 dB	70%	28 V / 50 V	Packaged Discrete Transistor	Pill
CGHV40180F-AMP3	Yes	GaN on SiC	0.96 GHz	1.25 GHz	200 W	24 dB	70%	28 V / 50 V	Evaluation Board	Flange
CGHV40180F	Yes	GaN on SiC	DC	2 GHz	200 W	24 dB	70%	28 V / 50 V	Packaged Discrete Transistor	Flange