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AM025WN-BI-R就是種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總尺寸為2.5mm。它不是個瓷器二極管封裝，事情幾率達到了8千兆赫。BI全系列主要使用唯一性方案的瓷磚二極管封裝，主要使用嵌到式使用方案，含有內彎（BI-G）或直（BI）高壓導線。封裝形式最下面的法蘭片同樣用到電流與地面極、頻射與地面極和熱通路。此部件非常符合RoHS。

有(you)特(te)點

將高達8GHz的中頻實際操作

增加收益=16 dB，P5dB=40 dBm，PAE=52%，漏極=56%@3 GHz

面上貼裝

能(neng)夠水(shui)冷的(de)社會(hui)底層

應(ying)該用

高動態性發(fa)收器

蜂窩無線網移動信號(hao)塔(ta)

聯通寬帶和窄(zhai)帶拖動器(qi)

雷達探測

自測醫療儀器

國防

干擾信號器(qi)