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AM012WN-BI-R都是種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總凈寬為1.25豪米。它是在一名工業陶瓷雙包操作方法萬代高達10千兆赫。BI一系列采取特殊性設定的衛浴陶瓷芯片封裝，采取放入式怎么安裝方法，攜帶拉伸（BI-G）或直（BI）地線線。打包封裝底下的法蘭盤也當作整流地線、頻射地線和熱出入口。此有些復合RoHS。

共同點

達到10GHz的高頻率(lv)進行(xing)

增益控制(zhi)=17dB，P5dB=37dBm，PAE=51%，漏極=55%@2.8ghz

外面貼裝

更好導熱的(de)底部

應用軟件

高動(dong)態數據(ju)發送到器

蜂窩移動基站天(tian)線

寬(kuan)帶網和(he)窄帶變成器

雷達探測(ce)

測試英文儀器設備(bei)

國防軍事

侵擾器