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AM005WN-BI-R一種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總總寬為0.5mm。它不是個瓷器封口，辦公工作頻率高達12ghz。BI系類按照非常規定制的瓷器封口，按照植入式按裝行為，中有彎折變形（BI-G）或直（BI）電纜。打包封裝下面的法蘭部還用來交流電跨接、頻射跨接和熱清算通道。此部件達到RoHS。

結構特征

自由高達12GHz的(de)中頻操作(zuo)流程

增益(yi)控制=15dB，P5dB=33.5dBm，PAE=51%，漏極=56%@3GHz

表(biao)明貼裝

有效的(de)散熱器的(de)底部(bu)

選用

高新(xin)動(dong)態收發器

蜂窩無限通(tong)信基站

寬帶網絡和窄帶圖(tu)像放大電路

聲納

測試(shi)測試(shi)議器

俄羅(luo)斯軍(jun)事

不干擾器