AM025WN-00-R一種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總參數為2.5分米(的兩個1.25公分FET串并聯)。它一個裸模,可運作更是高達15千兆赫。它能能展示40.5 dBm的其最典型的飽滿工作效率。此局部適合RoHS。
顯(xian)著特(te)點
高達(da)到(dao)15GHz的(de)高頻率作業
在2GHz時增(zeng)益控制=21dB
PAE=53%
P5dB=40.5 dBm
用途
蜂窩wifi手機信號塔
無線wifi虛擬局域網、中繼器
C波(bo)長VSAT
聲納
檢查醫療儀(yi)器
中(zhong)國國防
2英文
微波通信元電子器件