AM012WN-00-R一種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總厚度為1.25豪米。它有的是個裸模,可運行超過15千兆赫。它就能夠供給典型性的37.7 dBm的供大于求馬力。此部份滿足RoHS。
共同(tong)點
達到了15GHz的低頻進行操作(zuo)
在2GHz時增益控制(zhi)=22dB
PAE=55%
P5dB=37.7dBm
采用
蜂窩wifi手機基站設備
無線網絡局(ju)域(yu)、中繼(ji)器
C股票波段VSAT
統計
試驗檢測儀器
國防(fang)軍事
微波加熱元元件
頻率:DC-15GHz
增加收益:22
P1dB(DBM):36.1
PSAT(DBM):37.7
VD(V):28
AM012WN-00-R一種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總厚度為1.25豪米。它有的是個裸模,可運行超過15千兆赫。它就能夠供給典型性的37.7 dBm的供大于求馬力。此部份滿足RoHS。
共同(tong)點
達到了15GHz的低頻進行操作(zuo)
在2GHz時增益控制(zhi)=22dB
PAE=55%
P5dB=37.7dBm
采用
蜂窩wifi手機基站設備
無線網絡局(ju)域(yu)、中繼(ji)器
C股票波段VSAT
統計
試驗檢測儀器
國防(fang)軍事