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利用具備有自主柵極偏置管理的多處理機系統硫化鋅管的GaN HEMT調小器的平滑開展

發布了時(shi)間(jian)間(jian)隔(ge)：2018-05-04 13:53:07     查(cha)看：9182

Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：利用都具有自立柵極偏置把控的串聯硫化鋅管的GaN HEMT擴大器的線型激發。 GaN HEMT體現了較高的打出工作熱效率黏度和較寬的上行速率利用率。其實，GaN HEMT的線型典型示范地比GaAs配件的線型更差。本文作者提供 了種簡短的策略來提高了GaN HEMT的線型度。所提供 的策略是將配件分紅與自己調控的柵極偏置線電壓并接的多條子象限測試，進而將工作熱效率合共為子象限測試打出。這個原型放小器..
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