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HMC457QS16G(E)有的是款高日常動態區域GaAs InGaP異質結雙電性晶胞管(HBT)、1瓦特MMIC電率調小器，在1.7至2.2 GHz的率下業務。 該調小器應用小形16引腳QSOP金屬芯片封裝，其增益調整在1.7至2.0 GHz率下大多數為27 dB，在2.0至2.2 GHz率下大多數為25 dB。 它僅動用非常小數量的表面組件，其內容輸出的IP3會優化作+45 dBm。 會利用率電率調整(Vpd)做到齊全掉電或RF內容輸出的電率/電流值調整。 高內容輸出的IP3和PAE致使HMC457QS16G(E)當上是和蜂窩/3G移動信號塔和中繼器應用的非常完美電率調小器。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC457QS16GE HMC457QS16GETR	1瓦特功率放大器，采用SMT封裝，1.7 - 2.2 GHz	現貨	257

HMC457QS16G應用

• CDMA和W-CDMA
• GSM、GPRS和Edge

• 基站和中繼器

HMC457QS16G優勢和特點

• 輸出IP3： +46 dBm
• 增益： 27 dB （1900 MHz時）
  PAE為48%（Pout為+32 dBm時）
• +25 dBm的W-CDMA通道功率（ACPR為-50 dBc時）
• 集成功率控制(Vpd)
• QSOP16G SMT封裝： 29.4 mm2
• 包含在HMC-DK002設計人員套件中

HMC457QS16G結構圖