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HMC219B有的是款超小規模基礎雙平衡性混頻器，用到8引腳超小規模橡膠表貼封裝類型，帶露外焊盤(MINI_SO_EP)。該無源單整合ic微波加熱整合集成運放(MMIC)混頻器用到砷化鎵(GaAs)不銹鋼半導體技術場作用單晶體管(MESFET)生產技術產生，不需第三方元器或配備集成運放。該元器可作作頻段範圍為2.5 GHz至7.0 GHz的上交流變頻柜器這一物件、下交流變頻柜器這一物件、雙相調制解調器或相位非常器。 立維創展HMC219B選用經過改善的巴倫結構特征，給予突出的本振(LO)至rf射頻(RF)消毒防曬及LO至中頻(IF)消毒防曬特性。滿足RoHS條件的HMC219B不需線焊，與高使用量表貼打造技巧兼容。MMIC特性平穩可提高自己平臺業務效應并以保證滿足HiperLAN、U-NII和ISM法律耍求。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC219BMS8GE HMC219BMS8GETR	2.5 GHz至7.0 GHz GaAs、MMIC基波混頻器	現貨	98

HMC219BMS8GE選用

• 微波無線電
• 高性能無線電局域網(HiperLAN)和免執照國家信息基礎設施(U-NII)

• 工業、科研和醫療(ISM)

HMC219BMS8GE優勢和特點

• 轉換損耗：9 dB（典型值）
• LO至RF隔離：40 dB（典型值）
• LO至IF隔離：35 dB（典型值）
• RF至IF隔離：22 dB（典型值）
• 輸入IP3：18 dBm（典型值）
• 輸入P1dB：11 dBm（典型值）
• 輸入IP2：55 dBm（典型值）
• 無源雙平衡拓撲結構
• 8引腳、3 mm × 3 mm、MINI_SO_EP封裝

HMC219BMS8GE結構圖