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HMC199AMS8和HMC199AMS8E均(jun)為(wei)(wei)(wei)低(di)成(cheng)本通用(yong)型雙通道(dao)SPDT GaAs“旁(pang)路(lu)”開關，采用(yong)8引腳(jiao)MSOP封裝(zhuang)，頻率范圍為(wei)(wei)(wei)DC至(zhi)2.5 GHz。 這四個(ge)(ge)RF端(duan)口部件將兩個(ge)(ge)SPDT開關和一條直(zhi)通線集(ji)成(cheng)到單個(ge)(ge)IC上。 這些設計提供小于0.5 dB的低(di)插入(ru)損耗(hao)，同時在(zai)信號(hao)路(lu)徑(jing)內外切換無源或有源外部電(dian)路(lu)元(yuan)件。 端(duan)口間隔離通常為(wei)(wei)(wei)25至(zhi)30 dB。 立維創(chuang)展片(pian)內電(dian)路(lu)在(zai)極低(di)直(zhi)流(liu)(liu)電(dian)流(liu)(liu)時采用(yong)正電(dian)壓控(kong)(kong)制工(gong)作，且控(kong)(kong)制輸入(ru)兼容(rong)CMOS和大多數TTL邏輯系列。 此類應用(yong)包括LNA或濾(lv)波器(qi)旁(pang)路(lu)開關和單位衰減(jian)器(qi)開關。 HMC199AMS8E產(chan)品(pin)符(fu)合RoHS標準。若您(nin)有其中問題解答，請連接企(qi)業立維創(chuang)展，企(qi)業會(hui)盡較大認真為(wei)(wei)(wei)您(nin)功(gong)能。

HMC199AMS8E采用

• 蜂窩 
• ISM基站  
• PCS

HMC199AMS8E優勢和特點

HMC199AMS8E結構圖