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Qorvo的(de)TGF2023-2-20是SiCHEMT上的(de)離散(san)20 mm GaN，崗位(wei)規律(lv)從DC到(dao)14 GHz。 

一(yi)般而言，TGF2023-2-20在3 GHz時出具50.5 dBm的飽合傷(shang)害工(gong)作電(dian)壓，工(gong)作電(dian)壓收獲為(wei)19.2 dB。很大額定功率增(zeng)加錯誤(wu)率為(wei)70.5％，這隨著TGF2023-2-20適宜于高效化選用。

該(gai)商品(pin)無鉛且遵循RoHS規定(ding)。

TGF2023-2-20大部分表現形式

• 次數區間：DC至14 GHz
• 3 GHz時標稱Psat為50.5 dBm
• 最好PAE為70.5％
• 19.2 dB額定容量熱效率增益值
• 偏壓：Vd = 12至32 V，Idq = 400 - 2000 mA
• 集成電路芯片圖片尺寸：0.82×4.56×0.10mm