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Qorvo的AH212-S8G是款利用(yong)低(di)投(tou)資成(cheng)本的表面貼裝(zhuang)二極管封(feng)裝(zhuang)的高(gao)新動態(tai)條件二級(ji)控(kong)制調(diao)小器(qi)。InGaP / GaAs HBT都可以為繁(fan)多窄(zhai)帶調(diao)諧應該用(yong)電路系統(tong)作(zuo)為桌越的特性，最底多達+46 dBm的OIP3和+30 dBm的縮減1 dB工(gong)率。該元器(qi)件封(feng)口進行復合(he)國(guo)家領域規范條件的SMT無鉛/復合(he)國(guo)家RoHS規范條件的SOIC-8封(feng)口。所訴AH212-EG存在4x5mm DFN封(feng)口的等效要素(su)。全部的元件均過100％RF和DC檢(jian)測。

該的產品可(ke)用(yong)為曲線動力變小(xiao)器，主(zhu)要用(yong)于所(suo)需高曲線度(du)和高熱效(xiao)率(lv)的一(yi)些(xie)現如今和下(xia)代(dai)人無限能力，如GPRS，GSM，CDMA，W-CDMA，TD-SCDMA和WiBro。內(nei)外有(you)源偏置禁止(zhi)AH212-S8G在全部(bu)整個(ge)溫(wen)差范(fan)圍圖內(nei)堅持(chi)高規則化度(du)，并可(ke)以直接在+5 V開關電源下(xia)上班。

AH212-S8G主耍表現形式

• 1800至2700 MHz
• 增益值24.7噪音分貝
• + 30dBm P1dB
• +46 dBm輸出電壓IP3
• + 5V單正供電
• 內部被動偏激
• 無鉛/符合要求RoHS規則
• SOIC-8和4 x 5mm DFN封裝類型

AH212-S8G主要表現運用