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CUSTOM MMIC很自豪地宣布一項新的技術簡報，闡明了我們在使用GaN技術的無源MMIC混頻器達到令人難以置信的線性極限時所取得的進步。

在過去的一年里，Custom MMIC的混頻器專家一直在探索使用氮化鎵（GaN）工藝作為極線性RF混頻器的基礎。推斷GaN功率放大器的高線性性能可能會交叉到其他關鍵的微波元件，定制MMIC工程師已經與我們的幾個主要代工合作伙伴進行了多次GaN混頻器技術和類型的迭代。

結果是，顧客奮發努力的成功造成 無源GaN混頻器裝修設計的概念在發送三階交調截點（IIP3）與本地網震蕩器（LO）驅動軟件程序器的百分比等方面超越全部砷化鎵（GaAs）無源混頻器裝修設計的概念 - a品味條件個性定制MMIC就在帶來規則化錯誤率。從S頻譜到K頻譜（2 GHz到19 GHz），這部分新款無源GaN混頻器商品展示的IIP3阿拉伯數字遠遠遠超出30 dBm，LO驅動軟件程序電平約為20 dBm，規則化錯誤率遠遠超出10 dB。

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