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上線日子:2018-08-21 15:22:20 打開(kai)網頁:2372
CMD216一款5.6 W GaN MMIC輸(shu)出(chu)(chu)電機功(gong)率變(bian)大器電子(zi)器件,非(fei)(fei)常的(de)最適合(he)Ku頻(pin)段溝(gou)通系統(tong),在這當中高輸(shu)出(chu)(chu)電機功(gong)率和(he)(he)高線形度是至關非(fei)(fei)常重要(yao)的(de)制定需求。該變(bian)小器供(gong)應超出(chu)(chu)16 dB的(de)增加(jia)收益,應當的(de)輸(shu)出(chu)(chu)1 dB收縮點為(wei)+37 dBm,達到飽(bao)和(he)(he)狀態輸(shu)出(chu)(chu)輸(shu)出(chu)(chu)為(wei)+38 dBm,輸(shu)出(chu)(chu)額外(wai)效應為(wei)32%。CMD216放小器選用50歐(ou)姆切(qie)換設計,沒有外(wai)觀(guan)DC控制模塊和(he)(he)RF串(chuan)口切(qie)換。CMD216 MMIC還作為(wei)已經鈍化,以提生可(ke)以信(xin)賴性(xing)和(he)(he)受潮性(xing)。
品牌
型號
貨期
Custom mmic
CMD216
3-4周
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頻率 (GHz):DC - 32
增益 (dB):11-30
噪聲 系數 (dB):3-6.5
特色
CUSTOM MMIC功率放大器用于射頻功率放大器設計的C,X,K,Ku和Ka波段GaAs和GaN MMIC
參數(shu)值(zhi)
經典(dian)
頻繁(GHz)
14-18
增益控制(dB)
16
嘈音公式(dB)
相位嗓聲(dBc / Hz)
輸入輸出P1dB(dBm)
37
效果Psat(dBm)
38
OIP3(dBm)
43
偏置電流Vdd / Vgg(V)
+28 / -3.4
偏置電流值(mA)
550
普通,一流的RF /微波射頻射頻平臺的設計制作制作和子核心部件的厚度收到要求,還有需用比目前有模式更多的線形度規模。私人訂制MMIC著力推進于具備滿足需要RF /微波射頻射頻平臺較大模擬輸出和高線形所需的GaAs和GaN模擬輸出增加器(PA),的同時具備享有移動寬帶寬的小形裸片和界面貼裝(SMT)封口。根據懂得最佳的的電性能指標僅占就不,Custom MMIC具備有很多模擬輸出增加器,按照50歐姆適配的設計制作制作和簡單正偏置電原電阻,可影響較為復雜的偏置回文序列,而影響的成本并降低空間。許多性能還還包括:高模擬輸出模擬輸出,高線形度和優越的的效率。高模擬輸出硬度GaN MMIC的設計制作制作也是可以使用的。