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UMS微波加熱CHK5010-99F是一款革命性的4W氮化鎵高電子遷移率(lv)(lv)晶體管(GaNHEMT)，可(ke)為各種射頻功(gong)(gong)率(lv)(lv)應(ying)用(yong)提(ti)供多功(gong)(gong)能(neng)寬帶解決方(fang)案(an)。該產品在SiC襯底上采(cai)用(yong)GaNHEMT技(ji)術(shu)制造，確保(bao)了優(you)異的性能(neng)和(he)可(ke)靠性。

結晶體管以裸晶片形態保證，是需要其他切換電源電路工作徹底發揮出其提升空間。以至于，恰好這般設計方案特色傳遞了CHK5010-99F充裕的工作和密切的軟件提升空間。最主要的特殊性以及其好品質的帶寬工作能力，可不可以到達12 GHz的脈沖造成的和連續不斷波工作。基本概念GaN技能，該設計可推動高輸入和高PAEDC偏置，在Vo=30V @lp_o=50mA時推動最好能。前者，該IC芯片有0.90x0.80x0.1mm的緊身尺寸，所有在異常的地方中也可不可以輕松愉快集合。不僅要其優異的機械性能，CHK5010-99F還符合標淮RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006標淮，有效確保節能和安全可靠。這讓顧客在進行和實用的產品時定心，而不用顧慮對工作環境的阻礙影晌。盡管，CHK5010-99F都是款什么值得依賴的高效能GaN結晶體管，擁有大量的APP和突出的用途。其最令之春令人難忘的效能和適合產業規范使其稱得上rf射頻耗油率APP的可信度使用，為該研究方向建立了新的也許 性。

Symbol	Parameter	Min	Typ	Max	Unit
Gss	Small Signal Gain		21.6		dB
PsAT	Saturated Output Power		36		dBm
PAE	Max Power Added Efficiency		72		dB
GPAE_MAX	Associated Gain at Max PAE		14		dB

杭州市立維創展網絡有限責任集團公司授權經銷UMS微波，針對部分型號的UMS產品提供優質的現貨產品庫存，歡迎咨詢。