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上線時長:2024-06-07 08:41:20 瀏覽記(ji)錄(lu):961
CREE的(de)(de)CMPA5585025F是一款基(ji)于氮化鎵(GaN)高(gao)電子(zi)遷移率晶體(ti)管(guan)(HEMT)的(de)(de)單片微波集成電路(lu)(MMIC)。相比硅或砷化鎵,GaN具有更(geng)高(gao)的(de)(de)性(xing)(xing)能(neng),包括(kuo)更(geng)高(gao)的(de)(de)擊穿電壓(ya)、更(geng)高(gao)的(de)(de)飽和(he)電子(zi)漂移速(su)度和(he)更(geng)高(gao)的(de)(de)導熱性(xing)(xing)。與Si和(he)GaAs晶體(ti)管(guan)相比,GaN HEMT提供更(geng)高(gao)的(de)(de)功率密度和(he)更(geng)寬的(de)(de)帶寬。該MMIC采用10引線金屬/陶(tao)瓷(ci)法蘭封裝,具有最(zui)佳的(de)(de)電氣和(he)熱性(xing)(xing)能(neng)。

特性:
25db小數據收獲 35w一般PSAT 做工作超過28 V 高穿透電流值 高溫度實操 尺寸規格1.00 x 0.385英尺 該頻射縮放器適合于直連有線電、通訊及及遙感衛星通訊上行下行等應運。Typical Performance Over 5.8-8.4 GHz(T?=25G):
| Parameter | 5.8 GHz | 6.4 GHz | 7.2 GHz | 7.9 GHz | 8.4 GHz | Units |
| Small Signal Gain | 29.5 | 24.0 | 24.0 | 24.0 | 22.0 | dB |
| Output Power1 | 15 | 23 | 20 | 19 | 19 | W |
| Power Gain1 | 21.7 | 19.5 | 17.2 | 18.5 | 18.6 | dB |
| Power Added Efficiency | 30 | 25 | 20.5 | 19 | 19.5 | % |
北京市立維創展科技開發是CREE的銷售商,享用CREE微波加熱配件優劣勢購貨分銷渠道,并短期貨源外盤,以便中國大茶葉市場要。