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　　QPD0030是Qorvo公司(si)生產的一(yi)款高(gao)性(xing)能GaN射頻功(gong)(gong)率(lv)晶體(ti)管(guan)，它采用了SiC HEMT(碳化硅高(gao)電子遷移率(lv)晶體(ti)管(guan))技術。這款晶體(ti)管(guan)在(zai)48V電源軌上工作，頻率(lv)范圍從直流(DC)至5GHz，輸出功(gong)(gong)率(lv)在(zai)P3dB點達到45W，非常適合用于基站、雷達和(he)通信系統等應用。

　　QPD0030的首要性能涵蓋：　　- 工作頻率范圍之內：DC至5GHz　　- 傳輸電壓工率(P3dB)：在2.2GHz規律下，傳輸電壓工率達到49W。　　- 非線性收獲：在2.2GHz的頻率下，典范收獲為22.3dB。　　- 經典PAE3dB：在2.2GHz頻率下，生產率自由高達71.5%。　　- 事情相電壓：48V。　　- 低熱導率二極管封裝：在高輸出功率作業時有郊散熱管，確保功率器件的增強性和使用期。　　- 支持系統接連波(CW)和單脈沖做工作模式，　　QPD0030能夠軟件于Doherty結構中，非常適于作為一個長安小型蜂窩、微蜂窩和有源同軸電纜控制系統性的移動通信基站設備工作電壓變成器的結尾級，也能夠重復使用微蜂窩移動通信基站設備工作電壓變成器的動力器。該電子元件應用了的國家標準單位的4x3mm表皮貼裝QFN封裝類型，有利于智能家居控制到現存的rf射頻控制系統性結構設計中。

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