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　　CREE CGH35060P2是一款專為(wei)高效率設計(ji)的氮化鎵(GaN)高電子(zi)遷移率晶體管(HEMT)。這款晶體管具有高增益和寬(kuan)帶寬(kuan)能力，特(te)別適合在3.1至3.5 GHz的S波段(duan)進行脈(mo)沖(chong)放大器(qi)應(ying)用(yong)。它采用(yong)了陶瓷/金屬(shu)法蘭和藥(yao)丸封裝，確保了其在特(te)定(ding)應(ying)用(yong)中(zhong)的可靠性和穩定(ding)性。

　　主要特征：

　　運營幾率領域：3.3至3.6 GHz　　谷值效率性能：60W　　小手機信號增加收益：12 dB　　在8瓦模擬輸出時的粗差向量小幅度(EVM)：< 2.0%　　在8瓦輸出時的排水管的效率：25%　　應該用：WiMAX規定聯網(802.16-2004 OFDM)和WiMAX移動式聯網(802.16e OFDMA)

　　技術規格：

　　零件加工號：CGH35060P2　　說明：60瓦，3100至3500兆赫，28V氮化鎵HEMT　　最短平率：3100 MHz　　最多幀率：3500 MHz　　閥值轉換瓦數：60W　　增益控制：12.0 dB　　有效率：60%　　崗位電壓值：28V　　封裝行駛：分立晶狀體管，蝶閥法蘭、丸　　高技術：GaN-on-SiC(炭化硅基氮化鎵)　　CGH35060P2單晶胞管其所高的效率的率和適合于高頻率操作流程的基本特性，在遠程網絡通訊和聲納軟件系統等高效果技能應用中表現形式出眾的。其氮化鎵技能打造了相對比較一般硅基單晶胞管的效果，特別的是在高溫柔高壓低壓生活環境下。

廣州市立維創展網絡是CREE的供應商商，擁有的CREE微波射頻集成電路芯片其優勢供貨推廣方式推廣方式，并暫時庫存積壓現貨黃金，僅作中國內地行業市場要。