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GaN寬帶晶體管模具
MATR-GSHC03-160150 GaN HEMT都是種光纖寬帶單晶體管單片機芯片，對應DC-3.5 GHz做辦公進行了優化系統。該光電子器件幫助CW，脈沖激光和波形做辦公，傳輸工作電壓為45 W（46.5 dBm）。MATR-GSHC03-160150非常的支持于中國軍事通信專用設備，大陸移動無線路由wifi電，飛機維修光電子專用設備，無線路由wifi基本條件生活設施，ISM應運和VHF / UHF / L / S中波段聲納。利用SIGANTIC®生產新技術開發 - 那種專有的GaN-on-Silicon新技術。

品牌	型號	貨期	庫存
MACOM	MATR-GSHC03-160150	1周	120

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特征
 Si HEMT D模式晶體管裸片上的GaN
 2.5 GHz時54％的漏極效率
 12 dB增益@ 2.5 GHz
 28 V操作
 寬帶操作DC - 3.5 GHz
 適用于線性和飽和應用
 活動區周邊：16毫米
 100％DC測試
 符合RoHS *標準
 芯片尺寸：0.60 mm x 4.49 mm x 0.1 mm
 出口(kou)分(fen)類：EAR99

應用
 航空電子學
 國防通訊
 ISM應用程序
 VHF / UHF / L / S波段雷達
 無線基礎設施

產品規格
測試頻率：2.5 GHz
增益：12 dB
電源電壓：28 V.
PSAT：45瓦

MACOM是全球性僅有一家人于頻射適用的GaN on Si技能給出商。公司在Si RF電率尖晶石管類物料上給出范圍廣的重復波（CW）GaN，作分立電子元件和摸塊，設置工作上在DC至6 GHz。公司的高電率CW和非線性尖晶石管是商用航材電子裝置，通訊科技，網格，長激光脈沖汽車雷達與化工，物理學和醫用適用的完美會選擇。公司的類物料樂隊組合用到了MACOM已經超過60年的過去的，是用GaN on Si技能給出規范和定做處理設計方案，以無法客最苛求的需要。公司的GaN on Silicon類物料，用到分立尖晶石管和融合拖動器，用到0.52umHEMT工序，在電率，增加收益，增加收益非常平整度，的效率角度呈現出良好的RF安全性能，