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CREE的GTVA261802FC-V1是款170w的GaN-on-SiC HEMT D狀態圖像縮放電路，適于于多標準的蜂窩狀輸出功率圖像縮放電路技木應用領域。GTVA261802FC-V1享有輸人兼容、高能力率和無軸環熱怎強封裝形式的優點。

類產品標準

簡述：SiC HEMT上的高輸出功率RF GaN 170 W，48 V，2620-2690 MHz

平均率（MHz）：2620

大的聲音頻率（MHz）：2690

P3dB打出平均功(gong)率(lv)（W）：170

增益控制值（dB）：16.8

高效能率（%）：43

額(e)定值(zhi)直流電壓（V）：48

封(feng)裝形式類(lei)型(xing)：Earless

芯(xin)片芯(xin)片封(feng)裝(zhuang)：芯(xin)片芯(xin)片封(feng)裝(zhuang)分立(li)結(jie)晶(jing)體(ti)管

技(ji)術應用：SiC上(shang)的GaN

特性

?GaN-on-SiC HEMT新技術

?輸出自適應

?經典的脈(mo)沖信號CW功能，三人組(zu)合(he)輸(shu)送，

2690 MHz，48 V，10μs電(dian)脈沖：寬度，10%pwm占空比

-P3dB=170W時(shi)的的輸出熱效率

-P3dB時的漏較大速率=65.5%

-P3dB=15dB時的(de)增益控制(zhi)值

?能夠搞定48 V、180 W（CW）導出功效下10:1的(de)VSWR

?名模(mo)對模(mo)型1A級（選擇ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

?低導電標準值

?無鉛并(bing)具備RoHS標淮

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