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?PXAE263708NB-V1 S波長大工作電壓rf射頻LDMOS場相互作用結晶管

發部期限:2024-11-04 16:57:13     查看(kan):668

PXAE263708NB-V1是CREE的一件400瓦(P3dB)LDMOS FET,使用于2620至2690 MHz頻段的多條件蜂窩狀電功率縮放器技術水平app。包含了輸進傷害支持;高增益控制及都具有無突緣的熱激發封裝樣式樣式。PXAE263708NB-V1主要采用奇特的LDMOS技藝工藝;PXAE263708NB-V1兼具優秀的熱穩定的性和非常好的健康安全特性。

PXAE263708NB-V1.png

類產品要求

闡釋:高電率RFLDMOS FET400W(P3dB);28v;2620-2690MHz

低于(yu)聲(sheng)音頻率(MHz):2620

更高頻繁(MHz):2690

P3dB工作輸出工作功率(W):400

增益值(dB):13.5

的效率(%):47

穩定電(dian)流(liu)電(dian)壓(V):28

封裝類型分(fen)類:PVC

封裝(zhuang):封裝(zhuang)風格分立納(na)米線管

系統:LDMOS

特征英文

寬帶(dai)網(wang)絡室內錄(lu)入效果(guo)自適(shi)應

非(fei)對稱性(xing)性(xing)Doherty規劃:主P1dB=140W典例值(zhi);至(zhi)高值(zhi)P1dB=260 W典型(xing)的值(zhi)

一般的脈(mo)寬CW特征參數;2655MHz;28v;多爾蒂構型;AB類:P1dB=200W時(shi)的效(xiao)果(guo)輸出;P3dB=400W時(shi)的輸送工作(zuo)電(dian)壓;有效(xiao)率=49%(POUT=57 W平均);收獲=15 dB(POUT=57 W標(biao)準差(cha))

就(jiu)可以(yi)工作32 V時10:1的VSWR;100 W(CW)傳輸功效

集成化化ESD庇護

無鉛并滿意RoHS標(biao)準單位

蘇州市立維創展科技(ji)創新局限(xian)公司的授權(quan)許(xu)可代理(li)商(shang)CREE微波通信功率器件(jian),假如須(xu)得購CREE商(shang)品,請選擇右(you)下qq客服找各位!!!

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