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GTRB204402FC/1是CREE的1款350瓦（P3dB）的SiC上GaN高電子知識率結晶管（HEMT），著力推進于多準則蜂窩狀工率放縮器技巧操作要制作。GTRB204402FC有著高效化率和無軸環的熱開展封裝。

物料技術參數

表述：SiC HEMT上的高最大功(gong)率RF GaN 350 W，48 V，1930-2020 MHz

低于的(de)頻率（MHz）：1930

非常高頻繁（MHz）：2020

P3dB所在耗(hao)油率（W）：350

增益控制值（dB）：16.3

高質量(liang)率（%）：58

電機額(e)定功率線電壓（V）：48

裝(zhuang)封類目：Earless

封裝：封裝分(fen)立納米線管

新技術：SiC上的(de)GaN

特色

一般(ban)的脈沖激光CW功效，2020 MHz，48 V，10μs脈寬(kuan)橫向(xiang)，10%pwm占空比，結構傷害

P3dB=350W時的導出功效

P3dB時的高效(xiao)益率=65%

名模建模 1C級（按照ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

無鉛(qian)并充(chong)分(fen)滿足RoHS條件

武(wu)漢市立維創展科持有限平(ping)臺(tai)(tai)平(ping)臺(tai)(tai)授權文件(jian)供應商(shang)CREE徽波元器，如果想要購CREE貨品，請超(chao)鏈(lian)接左邊(bian)qq客服聯(lian)系起來(lai)你們！！！