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GTRB226002FC-V1是CREE是款450瓦（P3dB）的SiC上GaN高(gao)微(wei)電子變更率(lv)單晶(jing)體管(guan)（HEMT），應該用在(zai)多(duo)標準的蜂窩狀效率(lv)變大器科技應該用。GTRB226002FC-V1提供優質化和無軸環的熱促進封口(kou)類型。

企業產品尺寸

詮(quan)釋：SiC HEMT上的(de)高輸出功率RF GaN 450 W，48 V，2110-2200 MHz

評(ping)均概(gai)率（MHz）：2110

比較(jiao)高(gao)規律（MHz）：2200

P3dB傳輸額定功率（W）：450

增加收益(yi)值(zhi)（dB）：15

的效率（%）：60

的特點

非(fei)常典型(xing)的(de)電磁CW性：10μs電磁尺(chi)寸，10%pwm占空比，2200 MHz，48 V，Doherty工裝夾具質量=65%

收獲值=14dB

P3dB=450W時的(de)輸送平均功率

模特兒模形1B級（表明ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

低熱擴散系數

無鉛并充分考(kao)慮RoHS細則

GaN基SiC HEMT技巧

廣州 市立維創展信息技(ji)術受(shou)限(xian)大公司授權(quan)文件銷售(shou)CREE微波射頻功率器件，要是要有(you)購CREE廠品，請(qing)點選右方網上(shang)客服(fu)取得聯系小編！！！