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GTRB246608FC-V1是CREE的(de)一種500瓦（P4dB）的(de)SiC上(shang)GaN高(gao)光(guang)電子遷入(ru)率(lv)納米線管(guan)（HEMT），努力(li)于多規(gui)范蜂窩狀馬力(li)調(diao)大器利用(yong)訴(su)求(qiu)的(de)設計。GTRB246608FC-V1具(ju)備(bei)著更高(gao)轉化率(lv)和無軸環(huan)的(de)熱提升封口。

類產品規格為

詮釋：高電(dian)機(ji)功率RF GaN SiC HEMT 500 W，48 V，2300-2400 MHz

很(hen)高聲音(yin)頻率(lv)（MHz）：2400

收獲（dB）：15.7

封裝形式門類：Earless

特色

典型案例電磁(ci)CW特點，2400 MHz，48 V，10μs脈沖造(zao)成(cheng)的(de)頻段，10%占空比，組合構(gou)成(cheng)導出(chu)

P4dB=600 W時的內容輸(shu)出電功率(lv)

P4dB=60%時(shi)的熱(re)效率

河南市立維創展科學有現工(gong)司授權(quan)使用銷(xiao)售(shou)CREE徽波集成(cheng)電路(lu)芯(xin)片，假如需用購CREE的產品，請打(da)開左面克服連接當我(wo)們！！！