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CREE的1700 V無定形碳硅（SiC）MOSFET才可以實現了對較小、高吸收率率的輸出改變整體。與硅基處里原則差距較，CREE炭化硅技巧才能延長軟件系統馬力密度計算、較高的的工作頻繁 、較小的結構類型規劃、更冷門的的功能功能模塊、較小的功能功能模塊規格型號（電調節器、電阻器、濾波器和箱式變壓器）和整體結構成本低有效率。

特性

12-15V柵(zha)極(ji)驅程電阻值

適于(yu)于(yu)反(fan)激式(shi)使用時(shi)的(de)0V閉合直(zhi)流(liu)電壓

低電解電容飛強度(du)打開

漏(lou)極和源(yuan)極相互之間(jian)的寬電(dian)(dian)(dian)壓電(dian)(dian)(dian)流(liu)擊(ji)穿(chuan)電(dian)(dian)(dian)壓電(dian)(dian)(dian)流(liu)和間(jian)隙，

競爭優勢

較高的軟件(jian)高效(xiao)率(lv)和功(gong)效(xiao)規格

展示多個12-48V的設備(bei)，下降冷暖空(kong)調(diao)供給

較高的作業頻次

主要采用

電原變換

按鈕直流穩壓電源線

電源線直流電源

按照(zhao)其(qi)1500V的(de)系統軟件

直流電DC/DC轉型(xing)器

三相異步電機調控器

脈沖(chong)發生器工作(zuo)電壓APP

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