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ADRF5132是款高(gao)(gao)輸(shu)出、漫淺反射、0.7 GHz至5.0 GHz、硅、單極、雙擲（SPDT）反射性啟閉(bi)，適用無電(dian)線(xian)外表(biao)貼裝裝封手(shou)段。該互(hu)換機(ji)尤為適高(gao)(gao)電(dian)率和蜂窩狀基礎知識公共設施搭建app，如(ru)長的(de)時間(jian)演化（LTE）移動基站機(ji)。ADRF5132兼具35 dBm LTE的(de)高(gao)(gao)電(dian)機(ji)功率處理錯誤率（在105°C下的(de)平均值(zhi)典型(xing)案例(li)值(zhi)），2.7 GHz下0.6 dB的(de)低插入表(biao)格耗率，65 dBm的(de)輸(shu)入三階截(jie)距(ju)（關鍵值(zhi)）和42.5 dBm的(de)0.1 dB再(zai)壓縮(suo)（P0.1dB）。

ADRF5132板上電壓用(yong)電線路(lu)在5V的過于單一(yi)正供電電壓電流和(he)1.1mA的典型案例(li)電源(yuan)模(mo)塊(kuai)電流量(liang)下加載，使ADRF5132變成了(le)為(wei)pin電感(gan)的啟(qi)閉的人生(sheng)以自(zi)我(wo)為(wei)中心代用(yong)品。

ADRF5132選則要(yao)求RoHS條件的(de)密集(ji)型16管腳3 mm×3 mmLFCSP封裝狀(zhuang)態狀(zhuang)態。

的特點

散射性，50?設置

低(di)添加自然(ran)損耗：2.7 GHz時具代表性為0.6 dB

TCASE=105°C時的高工作功率很好解決(jue)

長精力(li)（>10年電腦運行）

最大化耗油率：43 dBm

CW工作電壓(ya)：38 dBm

LTE基(ji)線效率（8 dB規格桿數(shu)）：35 dBm

單惡性(xing)事件(jian)（<10秒的操作）

LTE峰(feng)(feng)峰(feng)(feng)值電率（8 dB基準(zhun)桿數）：41 dBm

高曲線度

P0.1dB:42.5 dBm關鍵值

IP3:2.0 GHz至4.0 GHz時的典型性參考值65 dBm

ESD固定值

HBM:2 kV，2級

CDM：1.25 kV

單正開關電源：5V

順向管控，兼容CMOS/TTL

16管(guan)腳，3mm×3mm LFCSP封口(kou)狀態

使用

蜂窩狀/4G核心油煙凈化器建沒

無線(xian)wifi電(dian)腦網絡(luo)條件服務設施基礎建設

攻沙和(he)高不靠(kao)譜性應(ying)用領域(yu)

測試英文設備

Pin場效應管編輯

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