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ABSD-10169PSM是款(kuan)用到(dao)3mm QFN的(de)表(biao)面貼裝封(feng)(feng)口的(de)GaAs有源MMIC平橫-不(bu)失衡互轉器。其規(gui)律範(fan)圍從DC到(dao)30 GHz，帶(dai)來了9 dB單(dan)端(duan)(duan)到(dao)差(cha)分收獲（低級(ji)受DC塊束縛）。3mm QFN封(feng)(feng)口是種無(wu)鉛、需(xu)求RoHS基準化的(de)打包(bao)封(feng)(feng)裝，與基準重金屬超標和(he)無(wu)鉛焊料(liao)循(xun)環兼容。帶(dai)來了接觸化開展包(bao)。ABSD-10168PSM是變位系(xi)數轉型器有源單(dan)端(duan)(duan)到(dao)差(cha)模轉型和(he)高階奈奎斯特抽樣的(de)佳使用。

主要基本特征

高頻率異(yi)常，兼容高達mg30 GHz的運行。

一般 用作50Ω設(she)備（100Ω差分導出）。

展(zhan)示更多的(de)曲線度和(he)低躁音性。

精細的(de)(de)打包(bao)封裝寬度(du)，極為有方便集成系統到緊奏(zou)型的(de)(de)電原規劃中。

技術工藝主要參數

堅決最好固定值：

漏極電(dian)壓(ya)（Id）：160 mA（無RF應用領域(yu)時）

更高的耐溫(wen)因素(su)：85°C

極(ji)限數據庫體(ti)溫：150°C

最低的做工(gong)作溫度：-40°C

低存放(fang)的溫度：-65°C

RF錄入(ru)電功率：10 dBm

總直流電阻電源開關電阻（Vd-Vs）：11 V

封裝形式信息查詢：

ESD（靜電感應蓄電池充電）：< 50 Volts，HBM 0Z

年紀：3 x 3 mm

室內濕度靈巧度高等(deng)級：MSL 1

用(yong)途場所(suo)

頻射和微波加熱操(cao)作系(xi)統：適合于應該單(dan)端(duan)表現(xian)(xian)與差(cha)分表現(xian)(xian)裝(zhuang)換的低(di)頻裝(zhuang)置(zhi)。

法向齒(chi)轉為器（ADC）前端部位：將單端走勢換算(suan)為差分走勢，以加(jia)強抗干擾移動信(xin)號學習能(neng)力和走勢齊全(quan)性。

溝通體統：用做電(dian)(dian)磁波的電(dian)(dian)位差(cha)輸入和共(gong)模躁聲(sheng)可(ke)以抑制(zhi)。

雷達天線軟件系統(tong)：在雷達探測(ce)讀取路由協議中，將單(dan)端小(xiao)數(shu)數(shu)據信(xin)息轉(zhuan)成為差分小(xiao)數(shu)數(shu)據信(xin)息以(yi)改變高速公路小(xiao)數(shu)電(dian)線。

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