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描述
AMCOM的AM012WN-Bi-R不是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極高寬比為1.25mm。它是在瓷器制品BI封裝形式，作業將高達10千兆赫。BI國產安全使用特別的設置的瓷器制品封裝形式，都具有變形（Bi-G）或直（BI）引線的重新安裝方試。封裝形式下端的法蘭盤同樣對于直流電地線、微波射頻地線和熱路。這部劇分是合適RoHS規定的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM012WN-BI-R	1周	50

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特征
高達10 GHz的高頻操作
增益＝17dB，p5dB＝37 dBm，PAE＝51%，漏＝55% @ 2.8 GHz。
表面貼裝
有效的散熱的低部

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機