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描述
AMCOM的AM010MH4-Bi-R是雙類別GaAs HIFET的一款分。HiFET是壓力、高瓦數、高雙曲線和寬帶網應運的組成環節適配發明專利裝備配制。該元電子器件封裝的總元電子器件封裝外邊為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高瓦數微波通信應運而制作的，本職工作次數萬代高達3GHz。BI類別應用一款特有制作的陶瓷廠家封裝，極具變形或雙曲線的引線和凸緣布置行為。封裝尾部的卡箍一起有所作為整流保護保護接地、頻射保護保護接地和熱路。這里HiFET是合乎RoHS標準的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM010MH4-BI-R	1周	50

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特征
25V漏極偏壓
寬帶部分匹配：直流-2.4GHz
高達3 GHz的高頻操作
高增益：g= 19dB@ 2.0GHz
高功率：P1dB＝31 dBm @ 2.0GHz
高線性度：IP3＝46dBm @ 2.0GHz
使用于很好cpu散熱的淘瓷封裝形式

應用
寬帶應用
高電壓20～28伏
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT
航空電子通信