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描述
AMCOM的AM030MH4-BI-R是雙系GaAs HIFET的一款分。HIFET是大位置自動匹配的著作權主設備運行環境的高額定電壓，高電率，高線性網絡度和帶寬操作領域。該耗油率元器的總耗油率元器外邊為12mm。AM030MH4-Bi-R是為高電率微波rf射頻操作領域而規劃方案的，運作率高達模型3GHz。BI系選用的層次性規劃方案的陶瓷制品二極管封口，具有著彎折變形或平行線的引線和凸緣布置具體方法。二極管封口底層的卡箍同一用于直流電源地線裝置、rf射頻地線裝置和熱路。這款HiFET是復合RoHS標準單位的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	511AM030MH4-BI-R RLB	1周	50

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特征
28伏
寬帶部分匹配：直流-2.4GHz
高達3 GHz的高頻操作
高增益：g= 19dB@ 2GHz
高功率：P1dB＝35dBm @ 2.0GHz
高線性度：IP3＝50 dBm @ 2.0GHz
用在更好，散熱處理的工業陶瓷芯片封裝

應用
寬帶應用
高電壓20～28伏
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT
航空電子通信