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CGHV1F025S是一款無與倫比(bi)的氮化(hua)鎵（GaN）高(gao)(gao)電子遷移率晶體(ti)管(guan)（HEMT），專為高(gao)(gao)效率，高(gao)(gao)增(zeng)益(yi)(yi)和寬帶寬功(gong)能而設計(ji)。該器件(jian)可用(yong)于L，S，C，X和Ku波段(duan)放(fang)大器應用(yong)。數據手冊規格基(ji)于X-Band（8.9 - 9.6-GHz）放(fang)大器。CGHV1F025S采(cai)用(yong)40伏軌道電路，采(cai)用(yong)3 mm x 4 mm表面貼裝雙扁平無引線（DFN）封(feng)裝。在(zai)功(gong)耗降低的情況(kuang)下，晶體(ti)管(guan)可以在(zai)低于40V的電壓(ya)下工作至(zhi)低至(zhi)20V的VDD，從(cong)而保持高(gao)(gao)增(zeng)益(yi)(yi)和高(gao)(gao)效率。