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說明
AMCOM的AM005WN-BI-R一個分立的GaN/SiC HEMT，總門寬為0.5厘米。它一個淘瓷封裝，至高任務12千兆赫。Bi系選取唯一性裝修設計的淘瓷封裝，帶有打彎（Bi-G）或直（Bi）引線，選取放到式安轉行為。包下面的法蘭盤互相作為整流一定接地保護、微波射頻一定接地保護和熱管道。本個部分符合標準RoHS。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM005WN-BI-G-R AM005WN-BI-R	1周	100

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特征
高達12GHz的高頻操作
增益=15db，p5db=33.5dbm，pae=51%，漏極=56%@3GHz
表面安裝
有用排熱的最底層

應用
高動態接收器
移動無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
試驗儀器
軍事
干攏機

示意圖