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披露周(zhou)期:2019-02-22 10:22:17 觀看(kan):1762
Wolfspeed的(de)(de)(de)CGHV96050F2是炭化(hua)(hua)(hua)硅(SiC)基(ji)材上的(de)(de)(de)氮化(hua)(hua)(hua)鎵(jia)(jia)(GaN)高(gao)電(dian)(dian)(dian)商變更率結晶管(HEMT)。與(yu)某個(ge)新(xin)技術相信(xin),類(lei)似(si)這些(xie)GaN內部(bu)的(de)(de)(de)適應(IM)FET有著出(chu)彩的(de)(de)(de)輸出(chu)功率額外添加(jia)有效率。與(yu)硅或砷化(hua)(hua)(hua)鎵(jia)(jia)比起來,GaN體(ti)現(xian)了優等(deng)的(de)(de)(de)性(xing)能(neng)參數(shu),分(fen)為比較高(gao)的(de)(de)(de)直流電(dian)(dian)(dian)壓(ya)擊(ji)穿直流電(dian)(dian)(dian)壓(ya),比較高(gao)的(de)(de)(de)趨于穩定手機漂移(yi)效率和(he)比較高(gao)的(de)(de)(de)導電(dian)(dian)(dian)率。與(yu)GaAs硫(liu)化(hua)(hua)(hua)鋅管相信(xin),GaN HEMT還提高(gao)越大(da)的(de)(de)(de)最(zui)大(da)功率硬度和(he)更寬的(de)(de)(de)上行(xing)速率。該IM FET采取不銹(xiu)鋼(gang)/瓷磚法蘭部(bu)封(feng)裝形式,具備有最(zui)適宜的(de)(de)(de)不間斷和(he)性(xing)溫能(neng)。
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CREE
CGHV96050F2
1周
300
特征
| 最高(gao)值工作輸(shu)出馬力 | 50W | |
|---|---|---|
| 采用 | Lk線(xian)(xian)/ Sk線(xian)(xian)/ Xk線(xian)(xian)/ Ck線(xian)(xian)/ Kuk線(xian)(xian) | |
| 先進(jin)典型的吸收率(lv)擴展吸收率(lv)PAE | 55% | |
| 非常(chang)典(dian)型(xing)輸出(PSAT) | 80瓦 | |
| 電率(lv)增加收(shou)益 | 10dB | |
| 的(de)工作(zuo)電阻 | 40 V | |
| 頻繁(fan) | 7.9 - 9.6 GHz | |
| 標簽(qian)印刷類形 | 輪緣(yuan) | |
| 的內部適合 | 是 - 50Ω | |
示意圖