欧洲一区二区-欧美激情一区二区-国产激情在线-欧美在线一区二区_CGHV1J006D高压氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管现货

CGHV1J006D油田氮化鎵（GaN）高電子廠遷址率尖晶石管現貨黃金

分享(xiang)時段：2019-02-22 14:16:56 打(da)開(kai)網頁：1824

6W，18.0GHz，GaN HEMT管芯
SKU：CGHV1J006D

Wolfspeed的(de)(de)(de)CGHV1J006D就是(shi)種(zhong)利用0.25μm柵極寬(kuan)度(du)研制(zhi)技術的(de)(de)(de)炭化硅襯底上的(de)(de)(de)高壓(ya)(ya)低(di)壓(ya)(ya)氮化鎵（GaN）高微電子(zi)挪動率結(jie)晶體(ti)管（HEMT）。這一(yi)GaN-on-SiC物品存在不錯的(de)(de)(de)高頻率，更(geng)高效性。它(ta)適于于運轉(zhuan)速度(du)規模為10 MHz至18 GHz，40 V且擁(yong)有高擊穿直流電壓(ya)(ya)直流電壓(ya)(ya)的(de)(de)(de)種(zhong)種(zhong)應用。

特征

敢達18 GHz的方法

品牌	型號	貨期	庫存
CREE	CGHV1J006D	1周	200

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頂值輸出精度工率		6W
軟件		統(tong)一移動寬帶，40 V
非常典型的(de)工(gong)作(zuo)率(lv)疊加率(lv)PAE		60％@ 10 GHz
基(ji)本(ben)特征電率(lv)（PSAT）		6瓦
作業電壓值		40 V
頻繁		DC - 18.0 GHz
包裝袋類		死(si)
小(xiao)無線信號增加(jia)收益		17 dB @ 10 GHz

示意圖

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