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Custom MMIC采用我們最領先的超低噪聲0.15μmp HEMT和0.25μmE-p HEMT工藝技術提供各(ge)(ge)種(zhong)各(ge)(ge)樣分立晶體管組件。Custom MMIC分(fen)立(li)晶體(ti)(ti)管GAASPHEMT允許客戶在設計(ji)低噪聲放大器(LNA)電源(yuan)電路時完全控制。各種各樣(yang)分(fen)立(li)式FET提供低至0.15dB的(de)NF（最小值），并可在高達22GHz的(de)工作頻(pin)率下(xia)使用(yong)。Custom MMIC還提供相匹配對晶體管(guan)，特別適合平衡(heng)LNA設計方(fang)案。

其主要亮點

特低(di)背景噪聲(sheng)標準值(zhi)–低(di)至0.15dBNF（最低(di)值(zhi)）；

可提(ti)供了裸片或二(er)極管封裝(zhuang)形式；

廣泛應用研究方向

光纖(xian)通(tong)信(xin)(xin)通(tong)信(xin)(xin)信(xin)(xin)號塔；

防御流量；

雙向(PtP)wifi手機(ji)電；

西安市立維(wei)創展(zhan)科技信息是(shi)(shi)CUSTOM MMIC的供應商商，立維(wei)創展(zhan)請求挑選夠滿足的需求的最適(shi)合使用的MMIC改(gai)進(jin)微波(bo)(bo)通信微波(bo)(bo)rf射頻微波(bo)(bo)rf射頻表現鏈(lian)。CUSTOM MMIC也是(shi)(shi)個齊全性的ISO注(zhu)冊(ce)和(he)同樣的型(xing)不(bu)錯MMICs經售商。供應信息急(ji)劇倍增的高功能微波(bo)(bo)射頻/微波(bo)(bo)rf射頻rf射頻MMIC產品(pin)產品(pin)。