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GaN材料(liao)是第三代半導(dao)體的典(dian)型代表，具備(bei)寬禁帶、高(gao)擊穿場強、高(gao)熱(re)導(dao)率(lv)(lv)和(he)高(gao)峰值電(dian)子漂移速度等優(you)質性能(neng)。因此，GaN材料(liao)可以很好地滿足耐高(gao)溫、高(gao)頻率(lv)(lv)和(he)功(gong)(gong)率(lv)(lv)大(da)的工作(zuo)要(yao)求，GaN功(gong)(gong)率(lv)(lv)晶體管一直(zhi)是L和(he)S波段雷達系統中(zhong)(zhong)線性和(he)壓縮功(gong)(gong)率(lv)(lv)放大(da)器的有源元(yuan)件。Gan功(gong)(gong)率(lv)(lv)晶體管可用(yong)作(zuo)航空電(dian)子、商業(ye)服務、工業(ye)生產(chan)、醫療設備(bei)和(he)國防軍事用(yong)途的電(dian)路和(he)系統中(zhong)(zhong)的各種應用(yong)。它們都通過(guo)寬帶gap GaN半導體材(cai)料的(de)作用，在小(xiao)封裝中(zhong)產生高功率密(mi)度和高輸出功率電(dian)平的(de)RF/微波晶(jing)體管

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