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推出時光:2022-06-15 16:38:22 搜(sou)索:1385
氮化鎵(GaN)工作功率半導體材料科技應運為明顯增強頻射/徽波瓦數變成器性能方面受到了碩大功勞。再生利用減輕元電子電子元器件的附生電子電子元器件,選則更短的柵極尺寸大小和挺高的電阻值聲音頻率,GaN結晶管充分考慮了高些的輸入輸出工率、更寬的下行帶寬和更加快的直流主機電源主機電源rf射頻使用率。
隨以GaN才質為代(dai)表會的最(zui)后(hou)代(dai)光電器件功率器件的創(chuang)造,GaN HEMT是由于其寬頻寬隙而大受大家關注,高對流傳熱性、高穿透場強和高最高值電子器件轉至濃度。應用于GaN材質的寬帶功率放大器普遍使用于無線通信網絡、無線網絡、電子對抗、雷達系統等行業領域。
佛山市立(li)維創展科技發(fa)展是(shi)Teledyne防務電(dian)(dian)(dian)子設備的(de)供應商商,展示 Teledyne防務智(zhi)能電(dian)(dian)(dian)子服務區域LDMOS、GaN、GaAs和(he)InP。Teledyne防務智(zhi)能電(dian)(dian)(dian)子好產品(pin)結(jie)構支技寬頻段、窄帶、激(ji)光(guang)脈(mo)沖(chong)變小器,率1MHz~220GHz,功效(xiao)mW~10kW,優質平臺提拱(gong)Teledyne防務智(zhi)能訂(ding)購,歡迎(ying)詞網絡咨詢。
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Model | Frequency Range MHz | Gain dB Typ. | Noise Figure dB Typ. | P1dB dBm Typ. | P4dB dBm Typ. | P4dB Watts Typ. | IP3/IP2/Pout dBm Typ. | Preamp D.C. Volts Nom | Preamp D.C. mA Max. | D.C. Volt Nom | Amps Q/@P3dB Typ. |
GaN MEDIUM POWER BROADBAND AMPLIFIERS | |||||||||||
AVP598 | 50-700 | 16.5 | 2.5 | 38 | 43.2 | 20.9 | 50/64/40 | N/A | N/A | 28 | 0.85/1.5 |
AVP514 | 50-700 | 40 | 3.7* | 38 | 43.2 | 20.9 | 50/62/40 | 12 | 230 | 28 | 1.2/2.3 |
AVP2515 | 600-2600 | 17 | 4.5 | 35 | 41 | 12.6 | 48/50/37 | N/A | N/A | 28 | 0.85/1.50 |
AVP2524 | 600-2600 | 41 | 4.5 | 35 | 41 | 12.6 | 47/48/37 | 12 | 185 | 28 | 1.25/1.9 |
AVP2030 | 500-2400 | 16 | 3.7 | 39 | 44 | 25.1 | 53/65/40 | N/A | N/A | 28 | 0.85/2.6 |
AVP2034 | 500-2400 | 40 | 3.7 | 39 | 44 | 25.1 | 52/62/40 | 12 | 200 | 28 | 1.2/3.2 |
AVP2050 | 900-2000 | 14 | 4 | 42 | 48 | 63.1 | 55/68/43 | N/A | N/A | 28 | 1.6/5.50 |
GaN PREAMP DRIVER AMPLIFIERS | |||||||||||
A2CP2595 | 20-500 | 24 | 3 | 34 | 36.2 | 4.2 | 45/58/27 | 12 | 185 | 28 | 0.39/0.47 |
500-2500 | 24 | 3 | 32.5 | 34 | 2.5 | 40/56/27 | 12 | 185 | 28 | 0.39/0.47 | |
A2CP2596 | 20-500 | 24 | 4.8 | 36.5 | 37.5 | 5.6 | 8/52/23 | 15 | 335 | 28 | 0.53/0.70 |
500-2500 | 24 | 4.3 | 34.5 | 37.5 | 5.6 | 42/48/23 | 15 | 335 | 28 | 0.53/0.70 | |