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C波長GaN MMIC 額定功率增加器CMPA0060002 CREE

上架準確時間:2022-07-14 16:41:47     查看:904

CREE的CMPA0060002是種根據氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比較具備優質的性能指標;包括更高電壓擊穿;更高飽和電子漂移速率和更高導熱系數。與Si和GaAs晶體管相比較,GaN HEMT還保證更(geng)高功(gong)率密度和更(geng)寬(kuan)的帶寬(kuan)。C波段GaN MMIC功率放大器CMPA0060002CREE選用分布式(行波)放大器設(she)計方法(fa);能夠在(zai)極(ji)小的(de)空間內完成極(ji)寬的(de)帶(dai)寬。保證裸(luo)片(pian)和具有銅鎢熱管散熱器的(de)旋入式封裝(zhuang)形(xing)式。

CREE的C頻譜GaN MMIC效(xiao)率(lv)增加器CMPA0060002具有2-W;20-MHz-6000-MHz;GaN MMIC工作效率調小器(qi)。

CREE.png

基本特征

17dB小訊號增益控制值

3W經典(dian)愛情PSAT

額定值相電壓達(da)28V

高電流擊穿電壓

高溫度運作

用途

超長帶縮放器

無線(xian)網絡(luo)金屬(shu)驅動包(bao)器

測驗裝置

EMC放小(xiao)器win7伺服驅動(dong)器

CREE(科(ke)銳(rui))注冊于(yu)1987年,CREE科(ke)銳(rui)應具30歷(li)經多年的(de)(de)寬(kuan)帶(dai)網絡GAP原產品(pin)與服務料和創新性產品(pin)與服務,CREE科(ke)銳(rui)是一(yi)種個完成的(de)(de)設計(ji)構思的(de)(de)合(he)作同(tong)伴,符合(he)標(biao)準頻射的(de)(de)需求分析,CREE科(ke)銳(rui)為行業(ye)內人士系統(tong)專(zhuan)業(ye)的(de)(de)服務器機 帶(dai)來了更(geng)強的(de)(de)工作功率和更(geng)低的(de)(de)實用功能損耗費。CREE科(ke)銳(rui)由最開使的(de)(de)GaN板材(cai)LED食品(pin)設備(bei)工藝技術領(ling)先全市場,到徽波(bo)微波(bo)射頻與毫米(mm)波(bo)集成塊食品(pin)設備(bei),CREE科(ke)銳(rui)于(yu)2017年剝離 出徽波(bo)rf射頻項目Wolfspeed,以帶(dai)寬(kuan)、大(da)馬力放小器廠品(pin)為一(yi)大(da)特色(se)。

山東(dong)市立維創展(zhan)科技(ji)開(kai)發是CREE的銷售(shou)商(shang)商(shang),獲得CREE徽波電子器件(jian)特(te)色供(gong)貨商(shang)校園推廣渠道(dao),并長時銷量現貨黃(huang)金,以(yi)供(gong)國家行業訴求。

詳情頁熟知CREE頻射紅外光請彈窗://dev.www.gyzhkj.com/brand/35.html

 

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CMPA0060002F1

GaN on SiC

DC

6 GHz

2 W

18 dB

25%

28 V

Packaged MMIC

Flange

CMPA0060002D

GaN on SiC

DC

6 GHz

2 W

17 dB

30%

28 V

MMIC Bare Die

Die

CMPA0060002F

GaN on SiC

DC

6 GHz

2 W

17 dB

23%

28 V

Packaged MMIC

Flange

CMPA0060002F-AMP

GaN on SiC

DC

6 GHz

2 W

17 dB

NA

28 V

Evaluation Board

Flange

CMPA0060002F1-AMP

GaN on SiC

DC

6 GHz

2 W

18 dB

NA

28 V

Evaluation Board

Flange


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